200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip
  • 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip este special conceput pentru a avea un întuneric scăzut, o capacitate scăzută și un câștig mare de avalanșă. Folosind acest cip se poate obține un receptor optic cu o sensibilitate ridicată.

Trimite o anchetă

Descriere produs

1. Rezumatul cipului fotodiodei avalanșă InGaAs 200um

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip este special conceput pentru a avea un întuneric scăzut, o capacitate scăzută și un câștig mare de avalanșă. Folosind acest cip se poate obține un receptor optic cu o sensibilitate ridicată.

2. Introducerea cipului fotodiodei avalanșă InGaAs 200um

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip este special conceput pentru a avea un întuneric scăzut, o capacitate scăzută și un câștig mare de avalanșă. Folosind acest cip se poate obține un receptor optic cu o sensibilitate ridicată.

3. Caracteristici ale cipului fotodiodei avalanșă InGaAs 200um

Interval de detectare 900nm-1650nm;

De mare viteză;

Reactivitate ridicată;

Capacitate scăzută;

Curent de întuneric scăzut;

Structură plană iluminată de sus.

4. Aplicarea cipului fotodiodei avalanșă InGaAs 200um

Monitorizarea;

Instrumente cu fibră optică;

Comunicații de date.

5. Valori maxime absolute de 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

Parametru Simbol Valoare Unitate
Curent direct maxim - 10 mA
Tensiune maximă de alimentare - VBR V
Temperatura de Operare Topr -40 până la +85
Temperatura de depozitare Tstg -55 până la +125

6. Caracteristicile electro-optice (T=25″) ale cipului fotodiodei avalanșă InGaAs de 200um

Parametru Simbol Condiție Min. Tip. Max. Unitate
Gama de lungimi de unda λ   900 - 1650 nm
Tensiune de avarie VBR Id = 10uA 40 - 60 V
Coeficientul de temperatură al VBR - - - 0.12 - V/℃
Responsabilitate R VR =VBR -4V 9 10 - A/W
Curent întunecat ID VBR -4V - 6.0 30 n / A
Capacitate C VR =38V, f=1MHz - 1.6 - pF
Lățimea de bandă Bw - - 2.0 - GHz

7. Parametrul de dimensiune a cipului fotodiodei avalanșă InGaAs 200um

Parametru Simbol Valoare Unitate
Diametrul zonei active D 200 um
Diametrul plăcuței de legătură - 60 um
Dimensiunea matriței - 350x350 um
Grosimea matriței t 180±20 um

8. Livrarea, livrarea și servirea cipului fotodiodei avalanșă InGaAs de 200um

Toate produsele au fost testate înainte de expediere;

Toate produsele au 1-3 ani garanție. (După perioada de garanție a calității a început să perceapă o taxă de întreținere adecvată.)

Apreciem afacerea dvs. și vă oferim o politică de returnare instantanee de 7 zile. (7 zile de la primirea articolelor);

Dacă articolele pe care le cumpărați din magazinul nostru nu sunt de o calitate perfectă, adică nu funcționează electronic conform specificațiilor producătorului, pur și simplu returnați-le la noi pentru înlocuire sau rambursare;

Dacă articolele sunt defecte, vă rugăm să ne anunțați în termen de 3 zile de la livrare;

Orice articole trebuie returnate în starea inițială pentru a se califica pentru o rambursare sau înlocuire;

Cumpărătorul este responsabil pentru toate costurile de transport suportate.

8. Întrebări frecvente

Î: Care este zona activă ați dori?

R: avem 50um 200um 500um zonă activă InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

Î: Care este cerințele pentru conector?

R: Box Optronics se poate personaliza în funcție de cerințele dumneavoastră.

Hot Tags: 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip, Producători, Furnizori, Comerț cu ridicata, Fabrică, Personalizat, Vrac, China, Fabricat în China, Ieftin, Preț scăzut, Calitate

Categorie aferentă

Trimite o anchetă

Vă rugăm să nu ezitați să trimiteți întrebarea dvs. în formularul de mai jos. Vă vom răspunde în 24 de ore.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept