Cip fotodiodă InGaAs de 300um
  • Cip fotodiodă InGaAs de 300umCip fotodiodă InGaAs de 300um

Cip fotodiodă InGaAs de 300um

Cipul fotodiodei InGaAs de 300um oferă un răspuns superb de la 900 nm la 1700 nm, perfect pentru telecomunicații și detectarea IR în apropiere. Fotodioda este perfectă pentru aplicații cu lățime de bandă mare și aliniere activă.

Trimite o anchetă

Descriere produs

1. Rezumatul cipului fotodiodei InGaAs de 300um

Cipul fotodiodei InGaAs de 300um oferă un răspuns superb de la 900 nm la 1700 nm, perfect pentru telecomunicații și detectarea IR în apropiere. Fotodioda este perfectă pentru aplicații cu lățime de bandă mare și aliniere activă.

2. Introducerea cipului fotodiodei InGaAs 300um

Cipul fotodiodei InGaAs de 300um oferă un răspuns superb de la 900 nm la 1700 nm, perfect pentru telecomunicații și detectarea IR în apropiere. Fotodioda este perfectă pentru aplicații cu lățime de bandă mare și aliniere activă.

3. Caracteristici ale cipului fotodiodei InGaAs 300um

Interval de detectare 900nm-1650nm;

De mare viteză;

Reactivitate ridicată;

Capacitate scăzută;

Curent de întuneric scăzut;

Structură plană iluminată de sus.

4. Aplicarea cipului fotodiodei InGaAs 300um

Monitorizarea;

Instrumente cu fibră optică;

Comunicații de date.

5. Valori maxime absolute de cip fotodiodă InGaAs de 300um

Parametru Simbol Valoare Unitate
Tensiune inversă VRmax 20 V
Curent de înaintare - 10 mA
Temperatura de Operare Topr -40 până la +85
Temperatura de depozitare Tstg -55 până la +125

6. Caracteristicile electro-optice (T=25″) ale cipului fotodiodei InGaAs de 300um

Parametru Simbol Condiție Min. Tip. Max. Unitate
Gama de lungimi de unda λ   900 - 1650 nm
Responsabilitate R λ =1310nm 0.85 0.90 - A/W
λ =1550nm - 0.95 -
λ =850nm - 0.20 -
Curent întunecat ID Vr=5V - 1.0 5.0 n / A
Capacitate C VR=5V, f=1MHz - 4.2 6.0 pF
Lățimea de bandă Bw 3dB jos, RL=50Ω - 1.8 - GHz

7. Parametrul de dimensiune a cipului fotodiodei InGaAs de 300um

Parametru Simbol Valoare Unitate
Diametrul zonei active D 300 um
Diametrul plăcuței de legătură - 80 um
Dimensiunea matriței - 420x420 um
Grosimea matriței t 180±20 um

8. Livrarea, livrarea și servirea cipului fotodiodei InGaAs de 300um

Toate produsele au fost testate înainte de expediere;

Toate produsele au 1-3 ani garanție. (După perioada de garanție a calității a început să perceapă o taxă de întreținere adecvată.)

Apreciem afacerea dvs. și vă oferim o politică de returnare instantanee de 7 zile. (7 zile de la primirea articolelor);

Dacă articolele pe care le cumpărați din magazinul nostru nu sunt de o calitate perfectă, adică nu funcționează electronic conform specificațiilor producătorului, pur și simplu returnați-ne la noi pentru înlocuire sau rambursare;

Dacă articolele sunt defecte, vă rugăm să ne anunțați în termen de 3 zile de la livrare;

Orice articole trebuie returnate în starea inițială pentru a se califica pentru o rambursare sau înlocuire;

Cumpărătorul este responsabil pentru toate costurile de transport suportate.

8. Întrebări frecvente

Î: Care este zona activă ați dori?

R: avem cip de fotodiodă InGaAs de 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm.

Î: Care este cerințele pentru conector?

R: Box Optronics se poate personaliza în funcție de cerințele dumneavoastră.

Hot Tags: Cip fotodiodă InGaAs 300um, producători, furnizori, comerț cu ridicata, fabrică, personalizat, vrac, China, fabricat în China, ieftin, preț scăzut, calitate

Categorie aferentă

Trimite o anchetă

Vă rugăm să nu ezitați să trimiteți întrebarea dvs. în formularul de mai jos. Vă vom răspunde în 24 de ore.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept